FF200R12KE4HOSA1

产品信息

IGBT配置:

双 [半桥]

集电极直流电流:

240A

集电极发射饱和电压, Vce:

1.75V

功耗 Pd:

1.1kW

结温, Tj 最大值:

150°C

晶体管封装类型:

Module

IGBT端接:

压合

集电极发射电压, Vceo:

1.2kV

IGBT技术:

IGBT 4 [Trench/Field Stop]

产品范围:

-