FF650R17IE4DB2BOSA1

产品信息

IGBT配置:

双

集电极直流电流:

650A

集电极发射饱和电压, Vce:

2V

功耗 Pd:

4.15kW

结温, Tj 最大值:

150°C

晶体管封装类型:

Module

IGBT端接:

接片

集电极发射电压, Vceo:

1.7kV

IGBT技术:

IGBT 4

产品范围:

-